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研究開発アーリーステージの開発テーマ探索 ─ パテントガイドブックSiC/GaNパワー半導体を用いた電力変換回路の全体俯瞰

SG001

2016年3月発刊
ネオテクノロジー監修
本文PDF(A4判 115ページ)、掲載特許一覧表(EXCEL版、全文明細書PDFリンク付)
定価:80,000円+税(送料別)

本書の特長

次世代のパワー半導体と呼ばれる炭化珪素(SiC:シリコン・カーバイド)や、窒化ガリウム(GaN:ガリウム・ナイトライド)は、次のパワー半導体の主力になると考えています。
Si製デバイスは技術的な飽和限界に近づいており、SiC/GaNはパワー・スイッチとして、電力変換回路の高効率化、小型化が可能です。
特徴としては、導通時の飽和電圧が低いので導通損失が少ないこと、ゲート容量が少ないのでドライブが簡単なこと、高速動作ができるのでスイッチング損失が低減することが上げられます。
「飽和電圧が低い」ことは導通損失が少なく発熱の低下が可能、「高速動作ができる」ことは高周波スイッチングが可能で小型化ができ、まさに次世代のデバイスといえます。
すでにSiCを応用したアプリケーション例では、汎用インバータが市場に投入されています。また、GaNを応用したアプリケーションでは、オーディオ用クラスDアンプが市場に投入されています。
現在、開発されているSiC/GaNデバイスは、それぞれの電圧レンジや電流レンジから、従来のSi製IGBTはSiCに、従来のSi製MOSFETはGaNに、順次置き換えられていくだろうと予想されます。
SiCに対して開発が遅れたGaNデバイスですが最近は、特許出願が過去に比較して増加していることも注目すべきポイントです。

本シリーズ「パテントガイドブック」のねらい

研究開発のアーリーステージで技術と企業の全体像を把握する 技術テーマのプランニングや技術開発において、技術者自身が最新の特許情報を的確に把握することが求められています。しかし、膨大な特許情報の中から必要な情報を抽出するには困難が伴います。そこで、特定の技術テーマにフォーカスし、俯瞰しやすいレベルにまとめたのが本シリーズ「パテントガイドブック」です。 技術者の視点で直近の特許情報から最低限必要な約100件の情報を厳選した本シリーズは、技術者が進むべき将来の方向を探る道しるべとして最適なガイドです。


1.ガイドブックシリーズのねらい
2.ガイドマップ(当該技術の全体像俯瞰マップ)
3.着眼点別の課題と公開特許情報

※技術者が目をつける着眼点別に特許情報を収録しています
《アングル(技術分類)》
・応用回路(DC-ACインバータ)
・応用回路(DC-DCコンバータ)
・応用回路(力率改善(PFC))
・応用回路(その他)
・デバイスの工夫
・ゲート駆動回路
・保護回路

4.IPC/FIガイド(当該技術テーマの検索ガイド)
5.掲載特許一覧表
CD-ROM付属

【掲載企業(順不同)】
・富士電機株式会社
・ダイキン工業株式会社
・ルネサスエレクトロニクス株式会社
・富士通株式会社
・国立大学法人島根大学
・三菱電機株式会社
・ローム株式会社
・トランスフォーム インコーポレーテッド
・シンフォニアテクノロジー株式会社
・アイシン・エィ・ダブリュ株式会社
・日立アプライアンス株式会社
・住友電気工業株式会社
・株式会社デンソー
・古河電気工業株式会社
・サンケン電気株式会社 など

技術的着眼点を俯瞰できるガイドマップ

ガイドマップは、アングル(技術的着眼点)ごとに図面と企業を選び放射状に配置した、ネオテクノロジー独自の俯瞰マップです。直近数年の出願にあらわれる技術と企業を見渡すことができます。

深掘調査に役立つIPC/FIガイド

深掘調査を行う際には国際特許分類(IPC)や日本特許庁独自のファイルインデックス(FI)を利用すると便利です。IPC/FIガイドではアングル(技術分類)ごとの特許情報に実際に付与されている特許分類を抽出し掲載しています。

見やすい誌面

本書で取り上げた特許情報をアングル(技術分類)ごとに分けて抄録を掲載することにより、技術の特徴がより把握しやすい誌面構成となっています。また、巻末には特許情報の一覧表も掲載しています。



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